V20M100M-E3/4W-HXY

V20M100M-E3/4W-HXY

描述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为20A，最大反向重复峰值电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受高达200A的非重复性浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，如开关电源、DC-DC转换模块及各类高频电源电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

V20M100M-E3/4W-HXY

商品编号

C52754647

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.044克(g)