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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUC120N04S6N009

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A

商品型号
IAUC120N04S6N009
商品编号
C535704
商品封装
TDSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))0.9mΩ@10V,60A
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)115nC@10V
输入电容(Ciss)7.36nF@25V
反向传输电容(Crss)125pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
  • N沟道 - 增强型 - 标准电平
  • 通过AEC Q101认证
  • 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
  • 工作温度达175°C
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF