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BSC057N03MS G
OptiMOST M系列功率MOSFET
- 描述
- 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 低FOM_SW，适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC057N03MS G
- 商品编号
- C534353
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |