BGA 5L1BN6 E6327

BGA5L1BN6是一款用于LTE的前端低噪声放大器，覆盖600 MHz至1000 MHz的宽频率范围。在第4章所述的应用配置中，该低噪声放大器（LNA）在8.2 mA的电流消耗下可提供18.5 dB的增益和0.7 dB的噪声系数。在旁路模式下，LNA的插入损耗为2.7 dB。BGA5L1BN6基于B9HF硅锗技术，工作电源电压范围为1.5V至3.6V。该器件具有单线双态控制（旁路模式和高增益模式）功能。通过关闭VCC电源可启用关断状态。

• 工作频率：600 - 1000 MHz
• 插入功率增益：18.5 dB
• 旁路模式下的插入损耗：2.7 dB
• 低噪声系数：0.7 dB
• 低电流消耗：8.2 mA
• 多态控制：旁路模式和高增益模式
• 超小型TSNP-6-10无引脚封装
• RF输出内部匹配至50欧姆
• 外部元件数量少
• 电源电压：1.5V至3.6V
• B9HF硅锗技术
• 无铅（符合RoHS标准）封装

使用该低噪声放大器可显著提高LTE数据速率。集成的旁路功能可增加整个系统的动态范围，并使RF前端更具灵活性。在高增益模式下，LNA可提供最佳的噪声系数，即使在LTE小区边缘也能确保高数据速率。在靠近基站时，可激活旁路模式以降低电流消耗。