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CoolGaN及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的RC耦合栅极驱动器可满足这些要求，但它存在开关动态特性随占空比变化的问题，且在特定情况下缺乏负栅极驱动。 英飞凌的氮化镓EiceDRIVER能轻松解决这些问题。下面所示的两个输出级可实现零关断电平，以消除任何占空比依赖性。此外，差分拓扑结构无需负电源电压即可提供负栅极驱动。不过，它需要一个与自举电路不兼容的浮动电源电压。

• 专为高压氮化镓功率开关（CoolGaN、基于GIT技术的产品）设计的专用栅极驱动IC
• 低驱动阻抗（源极导通电阻0.85 Ω，漏极导通电阻0.35 Ω）
• 稳态导通状态下电阻可编程栅极电流（典型值10 mA）
• 可编程负栅极电压，可完全避免误开启
• 单输出电源电压（典型值8 V，浮动）
• 开关特性与占空比无关（2种关断电压电平）
• 差分概念确保在任何条件下都有负栅极驱动电压
• 快速的输入到输出传播时间（37 ns），稳定性极佳（+7/-6 ns）
• 基于无芯变压器（CT）技术的输入到输出电气隔离
• 共模瞬态抗扰度（CMTI）>200 V/ns
• 3种封装版本
• 完全符合JEDEC工业应用标准

• 服务器
• 电信和工业开关电源
• 适配器和充电器电源