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BMBF65N050UE1
BMBF65N050UE1
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V50mΩ
- 商品型号
- BMBF65N050UE1
- 商品编号
- C52269246
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.793克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 568W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
BMBF65N050UE1是一款功率MOSFET，采用Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 超快体二极管。
- 由于极低的品质因数(FOM)Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。
- 极高的换向鲁棒性
应用领域
- 电脑电源。
- 服务器电源。
- 电信。
- 太阳能逆变器。
- 汽车超级充电器