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BCBF65N25W1
BCBF65N25W1
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- 描述
- SiC MOSFET,650V, 25mΩ
- 商品型号
- BCBF65N25W1
- 商品编号
- C52269250
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@18V |
商品特性
- 高开关速度与低栅极电荷
- 快速本征二极管，反向恢复时间短
- 强大的雪崩耐受能力
- 100%经过雪崩测试
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 储能系统
- 不间断电源
- 电动汽车充电站
- 服务器与通信电源
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