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BCBF170N1000P1
BCBF170N1000P1
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- 描述
- SiC MOSFET,1700V, 1000mΩ
- 商品型号
- BCBF170N1000P1
- 商品编号
- C52269251
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@18V |
商品特性
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关与低电容
- 易于并联且驱动简单
- 雪崩鲁棒性
- 抗闩锁
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- LED照明电源
- 高压DC/DC转换器
- 工业电源
- 暖通空调系统
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