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BMD80N400E1
BMD80N400E1
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- 描述
- 超结 MOSFET,800V，400mΩ
- 商品型号
- BMD80N400E1
- 商品编号
- C52269249
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1346nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
BMD80N400E1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低电磁干扰（EMI）的优势，同时具有低开关损耗。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on)×Qg
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-低功率充电器和适配器
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