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BMD80N400E1

BMD80N400E1

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描述
超结 MOSFET,800V,400mΩ
商品型号
BMD80N400E1
商品编号
C52269249
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.4nC
输入电容(Ciss)1.1346nF@100V
反向传输电容(Crss)0.29pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型1个N沟道

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