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BMB65N065UC1实物图
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BMB65N065UC1

BMB65N065UC1

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描述
超结 MOSFET,650V,65mΩ
商品型号
BMB65N065UC1
商品编号
C52269247
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.689克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th))3.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)73nC
输入电容(Ciss)3.99nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

BMx65N065UC1是一款功率MOSFET,采用了Bestirpower先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具有低开关损耗。

商品特性

-超快体二极管。-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。-极高的换向鲁棒性。

应用领域

-电脑电源。-交流/直流电源。-电信/服务器。-太阳能逆变器。-汽车超级充电器

数据手册PDF