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BMB65N065UC1
BMB65N065UC1
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- 描述
- 超结 MOSFET,650V，65mΩ
- 商品型号
- BMB65N065UC1
- 商品编号
- C52269247
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.689克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMx65N065UC1是一款功率MOSFET,采用了Bestirpower先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具有低开关损耗。
商品特性
-超快体二极管。-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低。-极高的换向鲁棒性。
应用领域
-电脑电源。-交流/直流电源。-电信/服务器。-太阳能逆变器。-汽车超级充电器
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