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KCD3406B
N沟道快速开关功率MOSFET，采用先进SGT技术，超低栅极电荷
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCD3406B
- 商品编号
- C52145850
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进SGT技术
- RDS(ON) = 7.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%进行ΔVds测试
- 100%进行UIS测试