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CMSA190DN10
双N DFN-8 5x6 100V 45A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，双N，耐压：100V，电流：45A，10V内阻：0.019Ω，4.5V内阻：0.026Ω，功率：80W，CissTyp：880PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA190DN10
- 商品编号
- C52118386
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
CMSA190DN10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装(5x6 mm),便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池供电系统
- 同步整流