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CMSA80NP03
N+P场 DFN-8 5x6 30V 80A
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- 描述
- MOS管，DFN-8 5x6，N+P场，耐压：30V/-30V，电流：80A/-50A，10V内阻：0.008Ω/0.011Ω，4.5V内阻：0.01Ω/0.018Ω，功率：85W/65W，CissTyp：2400PF/2900PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA80NP03
- 商品编号
- C52118389
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMSA80NP03采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。 互补MOSFET可用于逆变器和其他应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理-液晶显示器背光逆变器
- CMSC7240
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- RES11A50DDFR
- RES11A30DDFR
- RES11A25DDFR
- RES11A16DDFR
- RES11A10DDFR
- RES11A00DDFR
- KLMAG1JETD-B041009
- 1511H-12.000KWVDTSL
- 0132M4-16.000F08DTNLL
- 0121M4-16.000F08DTNLL
- 1553D-122.880KWVDTL
- 0121M4-36.864F10DTNLL
- 0153G2-8.000F16DTNLL