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PJM30DN30DL
PJM30DN30DL
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- 描述
- 2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=28A ,RDS(ON)<9.5mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM30DN30DL
- 商品编号
- C52117969
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 潮湿敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 不间断电源