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PJMG10H25NDL
PJMG10H25NDL
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- 描述
- N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型），VDS=100V ID=24A ,RDS(ON)<26mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关、PWM、电源管理等
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG10H25NDL
- 商品编号
- C52117971
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 375pF |
商品特性
- 先进的分裂栅极沟槽技术
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级 3
应用领域
-负载开关-PWM 应用-电源管理
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