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PJM65N40DN
PJM65N40DN
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- 描述
- N沟道增强型，Trench（沟槽型），VDS=40V ID=65A ,RDS(ON)<9mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，极低的导通阻抗和低栅极电荷（Qg),应用场景：电池保护、负载开关、UPS等
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM65N40DN
- 商品编号
- C52117972
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
优惠活动
购买数量
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