温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM20DN30DL
PJM20DN30DL
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 2个N沟道合封增强型MOSFET，Trench（沟槽型），VDS=30V,ID=18A ,RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V，通过 100% 雪崩测试，应用场景：负载开关，电池保护，UPS等
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM20DN30DL
- 商品编号
- C52117970
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
相似推荐
其他推荐