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BRP100N245P6实物图
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BRP100N245P6

100V245A N-CH SGT MOSFET

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描述
VDS(V): 100; VGS(V): ±20; ID(A): 245; Rds(ON)(VGS=10V)(mΩ): 1.0; Rds(ON)(VGS=4.5V)(mΩ): null; VTH(V): 3.0; Ciss(pF): 14000; Coss(pF): 5300; Crss(pF): 353; Qg(nC): null; Qgs(nC): null; Qgd(nC): null
品牌名称
XTX(芯天下)
商品型号
BRP100N245P6
商品编号
C51966735
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.751461克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)245A
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V
耗散功率(Pd)465W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)218nC
属性参数值
输入电容(Ciss)13.883nF
反向传输电容(Crss)722pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)8.005nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 100V、245A
  • 超低导通电阻RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 无铅

应用领域

-电动工具、电动车、机器人中的电机驱动-DC/DC和AC/DC中的电流开关-电源管理

数据手册PDF