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BRP80N120P8

80V120A N-CH SGT MOSFET

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描述
VDS(V): 80; VGS(V): ±20; ID(A): 120; Rds(ON)(VGS=10V)(mΩ): 4.4; Rds(ON)(VGS=4.5V)(mΩ): null; VTH(V): 3.0; Ciss(pF): 3650; Coss(pF): 1870; Crss(pF): 120; Qg(nC): null; Qgs(nC): null; Qgd(nC): null
品牌名称
XTX(芯天下)
商品型号
BRP80N120P8
商品编号
C51966736
商品封装
TO220FB-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.899507克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)182W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)51nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.57nF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)678pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 80V、120A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 5.5mΩ
  • 超低RDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 无铅

应用领域

  • 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动
  • DC/DC和AC/DC中的电流开关
  • 电源管理

数据手册PDF