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BRT30N100P3
30V100A N-CH Trench MOSFET
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- 描述
- VDS(V): 30; VGS(V): ±20; ID(A): 100; Rds(ON)(VGS=10V)(mΩ): 2.6; Rds(ON)(VGS=4.5V)(mΩ): 3.7; VTH(V): 1.6; Ciss(pF): 2789; Coss(pF): 365; Crss(pF): 309; Qg(nC): 58; Qgs(nC): 12; Qgd(nC): 13
- 品牌名称
- XTX(芯天下)
- 商品型号
- BRT30N100P3
- 商品编号
- C51966737
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.256395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.789nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 309pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 30V、100A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.6mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 6.1mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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- ZHT-Q01
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- HC2EDGK-5.08-11P-V
- HC2EDGK-5.08-12P-V
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- HC2EDGK-5.08-14P-V
- HC2EDGRM-5.08-10P-V
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