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BRT30N180P2
30V180A N-CH Trench MOSFET
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- 描述
- VDS(V): 30; VGS(V): ±20; ID(A): 180; Rds(ON)(VGS=10V)(mΩ): 1.7; Rds(ON)(VGS=4.5V)(mΩ): 2.8; VTH(V): 1.8; Ciss(pF): 5093; Coss(pF): 629; Crss(pF): 508; Qg(nC): 97; Qgs(nC): 20; Qgd(nC): 23
- 品牌名称
- XTX(芯天下)
- 商品型号
- BRT30N180P2
- 商品编号
- C51966738
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.902165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.093nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 508pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 629pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 30 V、180 A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.6 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 4.2 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- PDFN5*6 - 8L
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
- BRT30N70P1
- BRT30N70P3
- BRT30P35P1
- BRT40N100P2
- BRT40N210P2
- BRT40N60P3
- ZHT-Q01
- HC2EDGK-5.08-10P-V
- HC2EDGK-5.08-11P-V
- HC2EDGK-5.08-12P-V
- HC2EDGK-5.08-13P-V
- HC2EDGK-5.08-14P-V
- HC2EDGRM-5.08-10P-V
- HC2EDGRC-5.08-9P-V
- HC2EDGRC-5.08-10P-V
- HC2EDGVC-5.08-9P-V
- HC2EDGVC-5.08-10P-V
- HC15EDGK-3.81-10P-V
- HC15EDGK-3.81-12P-V
- HC15EDGK-3.81-16P-V
- HC15EDGVC-3.81-9P-V