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BRT30P35P1
-30V/-35A P-CH Trench MOSFET
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- 描述
- VDS(V): -30; VGS(V): ±20; ID(A): -35; Rds(ON)(VGS=10V)(mΩ): 7.6; Rds(ON)(VGS=4.5V)(mΩ): 10.9; VTH(V): -1.7; Ciss(pF): 2252; Coss(pF): 306; Crss(pF): 222; Qg(nC): 41; Qgs(nC): 7; Qgd(nC): 10
- 品牌名称
- XTX(芯天下)
- 商品型号
- BRT30P35P1
- 商品编号
- C51966741
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.822675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.252nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 306pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- -30V,-35A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 9.2 mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 13.4 mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理
- BRT40N100P2
- BRT40N210P2
- BRT40N60P3
- ZHT-Q01
- HC2EDGK-5.08-10P-V
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