温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KIA50N06CY
N沟道 60V 50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管，采用LVMoset技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理。
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA50N06CY
- 商品编号
- C51883041
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
KIA50N06C是一款采用LVMosfet技术生产的N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。改进后的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于UPS、逆变器系统电源管理。
商品特性
- 当VGS = 10 V时，RDS(导通) = 11 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- UPS
- 逆变器系统电源管理