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KND7N65B
7A，650V N沟道平面MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND7N65B
- 商品编号
- C51883052
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 先进平面工艺
- RDS(ON) = 1.2 Ω（典型值），VGS = 10 V
- 符合RoHS标准
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源