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KNH2906C
130A，60V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNH2906C
- 商品编号
- C51883055
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 283pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 4.6 mΩ（典型值），VGS = 10V，TO - 220封装
- RDS(ON) = 4.7 mΩ（典型值），VGS = 10V，TO - 3P封装
- 超低栅极电荷
- 提供环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%进行ΔVds测试
- 100%进行UIS测试
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