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KNB2803C
N沟道 30V 150A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNB2803C
- 商品编号
- C51883045
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 625pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 2.0 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% ΔVds测试
- 100% UIS测试