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KND2803T
150A，30V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON) = 2.4mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND2803T
- 商品编号
- C51883042
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
- 超低栅极电荷
- 提供环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%进行ΔVds测试
- 100%进行UIS测试