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KND2803C
150A，30V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。100% ΔVds测试。100% UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND2803C
- 商品编号
- C51883044
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 445pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% ΔVds测试
- 100% UIS测试