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DGD21904MS14-13

高端和低端栅极驱动器

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描述: DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD21904MS14-13
商品编号: C526567
商品封装: SO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.219克(g)

商品参数

商品概述

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。 DGD21904M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器交叉导通。 DGD21904M采用SO-14封装。工作温度范围为-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
输出驱动器典型灌/拉电流能力为4.5A/4.5A
逻辑输入（HIN和LIN）支持3.3V
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且符合RoHS标准
无卤素和锑，为“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
DC-AC逆变器
AC-DC电源
电机控制
D类功率放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.5A
	拉电流(IOH)	4.5A
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	140ns
	传播延迟 tpHL	140ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	75uA