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NCD57001DWR2G

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描述: NCD57001 是一款带内部电流隔离的高电流单沟道 IGBT 驱动器，适用于高功率应用中的高系统能效和可靠性。其功能包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒箝位、准确的 UVLO、DESAT 保护和 DESAT 处的软关断。NCD57001 可适应输入侧上 5V 和 3.3V 信号，以及驱动器侧上的宽偏置电压范围，包括负电压功能。NCD57001 提供 > 5 kVrms（UL1577 等级）电流隔离和 > 1200 Viorm（工作电压）功能。NCD57001 采用宽体 SOIC-16 封装，可在输入和输出之间保证 8 mm 漏电距离，满足加强安全绝缘要求。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCD57001DWR2G
商品编号: C512996
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.491克(g)

商品参数

商品概述

NCD57001是一款高电流单通道IGBT驱动器，具备内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路FAULT和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及DESAT时的软关断功能。NCD57001在输入侧可兼容5 V和3.3 V信号，在驱动器侧支持宽偏置电压范围，包括负电压能力。NCD57001提供> 5 kVrms（UL1577额定值）的电流隔离和> 1200 V（工作电压）的能力。NCD57001采用宽体SOIC - 16封装，输入和输出之间保证有8 mm的爬电距离，以满足加强安全绝缘要求。

商品特性

在IGBT米勒平台电压下具有高电流输出（+4 / -6 A）
低输出阻抗，增强IGBT驱动能力
短传播延迟且匹配精确
有源米勒钳位，防止栅极误开启
具有可编程延迟的退饱和（DESAT）保护
退饱和（DESAT）时具备负电压能力（低至 -9 V）
IGBT短路时软关断
短路时IGBT栅极钳位
IGBT栅极有源下拉
紧密的欠压锁定（UVLO）阈值，实现偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负VEE2
3.3 V至5 V输入电源电压
设计符合AEC - Q100认证要求
5000 V电流隔离（满足UL1577要求）
1200 V工作电压（符合VDE0884 - 10要求）
高瞬态抗扰度
高电磁抗扰度
这些器件无铅、无卤素，符合RoHS标准

应用领域

太阳能逆变器
电机控制
不间断电源（UPS）
工业电源焊接

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	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	5000
	负载类型	IGBT
	通道数	1
	输入侧工作电压	3.3V~5V
	拉电流(IOH)	7.8A
	灌电流(IOL)	7.1A

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	15ns
	传播延迟 tpLH	90ns
	传播延迟 tpHL	90ns
	静态电流(Iq)	1mA
	CMTI(kV/us)	100kV/us