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WTM08N80AF
800V N沟道超结MOSFET
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- 描述
- 特性：极低的品质因数（RDS(on) × Qg）。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和均匀性。 100%雪崩测试。 内置ESD二极管。应用：开关模式电源（SMPs）。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM08N80AF
- 商品编号
- C50176601
- 商品封装
- TO-220FS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.364286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 718pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17.3pF |