WTM10N65VF
WTM10N65VF
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- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM10N65VF
- 商品编号
- C50176605
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- RDS(导通电阻)(典型值0.7Ω)@VGS = 10V
- 改善了dv/dt能力,具有高耐用性
- 经过100%雪崩测试
- 最高结温范围(150°C)
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正