WTM10N65VF

这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

• RDS(导通电阻)（典型值0.7Ω）@VGS = 10V
• 改善了dv/dt能力，具有高耐用性
• 经过100%雪崩测试
• 最高结温范围（150°C）

• 高效开关模式电源
• 基于半桥拓扑的有源功率因数校正