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WTM22N65AF
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：BV_DSS = 650V，I_D = 22A。 R_DS(on) = 0.17Ω(最大值) × V_GS = 10V。 极低的品质因数 R_DS(on) × Q_g。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用：开关模式电源 (SMPs)。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM22N65AF
- 商品编号
- C50176606
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.806克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |