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WTM20N65CF
N沟道 650V 20A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N65CF
- 商品编号
- C50176610
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.878克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
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