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WTM15N65AF
650V 15A
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- 描述
- 特性：BV(DSS) = 650 V, ID = 15 A。 R(DS(on)): 0.280 (Max) @ V(GS) = 10V。 非常低的FOM (R(DS(on)) × Qg)。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和均匀性。 100%雪崩测试。应用：开关模式电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM15N65AF
- 商品编号
- C50176602
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.854克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品特性
- 漏源击穿电压(BVDSS) = 650 V,漏极电流(ID) = 15 A
- 漏源导通电阻(RDS(on)):0.28 Ω(最大值),栅源电压(VGS) = 10 V
- 极低的品质因数(FOM,RDS(on) × 栅极电荷(Qg))
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100% 雪崩测试
- 内置静电放电(ESD)二极管
- TO-220F 封装
- TO-252 封装
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-电视电源和 LED 照明电源-交流转直流转换器-电信