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G2063
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，具有独立高低侧参考输出通道和防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2063
- 商品编号
- C49449772
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 230uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺实现高、低侧栅驱动电路的单芯片集成，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。该芯片的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用TSSOP20封装，工作温度范围为-40~125°C。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250 V
- 兼容3.3/5 V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围5V至20V
- 高、低侧电源4.5V欠压锁定
- 高、低侧输入输出同相逻辑
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围-40~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动