NSG2110P

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片

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描述: 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用DIP14封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG2110P
商品编号: C49449825
商品封装: DIP-14
包装方式: 管装
商品毛重: 2.581818克(g)

商品参数

商品概述

NSG2110P是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧关断逻辑，可用于故障条件下的通道关断。采用DIP14封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压可达700V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dV_S/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围10V ~ 20V
宽温度范围-40 ~ 125℃
集成欠压锁定功能
周期性边缘触发关断逻辑
输入输出同相位
逻辑和电源地±5V偏移
芯片开通关断延时特性：Ton/Toff =130ns/130ns，高低侧延时匹配
驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A / 4.0A
高、低侧欠压锁定电路：欠压锁定正向阈值8.9V，欠压锁定负向阈值8.2V
符合RoHS标准DIP14

应用领域

通用逆变器
半桥和全桥转换器
高密度开关电源
太阳能逆变器
电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	9.5V
	输入低电平(VIL)	6V
	静态电流(Iq)	15uA
	功能特性	使能关断