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JSM6287T
1.5A 250V三相高同低反逻辑功率预驱动芯片
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- 描述
- 250V三相高低侧功率驱动芯片 高侧同相低侧反相 步进/伺服电机、电动工具等 FD6287T
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM6287T
- 商品编号
- C49450285
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193649克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 120ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 230uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
JSM6287是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺实现高、低侧栅驱动电路的单芯片集成。该芯片具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出级具有大电流脉冲能力，并集成了防直通的死区逻辑。JSM6287的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，其浮地通道最高工作电压可达+250V。该芯片采用TSSOP20封装，工作温度范围为-40℃ ~ 125℃。
商品特性
- 自举工作的浮地通道最高工作电压为+250V
- 兼容3.3V/5V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围8V ~ 20V
- 高、低侧均集成欠压锁定电路
- 高侧欠压锁定正向阈值7.1V，负向阈值6.9V
- 低侧欠压锁定正向阈值7V，负向阈值6.6V
- 集成防直通死区逻辑，死区时间设定为200ns
- 开通传输延时Ton = 150ns，关断传输延时Toff = 120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽工作温度范围-40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流能力1.5A，灌电流能力1.8A
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具
- 电机控制
- 两轮车
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器