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G2063Q
三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2063Q
- 商品编号
- C49449773
- 商品封装
- QFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 3 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 230uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
G2063Q 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2063Q 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 +250V。G2063Q 为 QFN4X4-24 封装，可以在 -40℃ 至 125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +250V
- 兼容 3.3/5V 输入逻辑
- dVs/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
- Vs 负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压范围 5V 至 20V
- 高、低侧电源 4.5V 欠压锁定
- 高、低侧输入输出同相逻辑
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定 200ns
- 芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时 Ton/Toff = 150 ns/120ns
- 延迟匹配时间小于 50ns
- 宽温度范围 -40~125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A
- 符合 RoSH 标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动