NSG2110

半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。采用宽体SOP16（W）封装，可以在 -40℃至125℃温度范围内工作。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG2110
商品编号: C49449774
商品封装: SOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数