温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PTD30N120
30V/120A N沟道高级功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%雪崩测试。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD30N120
- 商品编号
- C49384200
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46916克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V；4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 433pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 479pF |