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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 高额定电流
- 低导通电阻RDS(on)
- 低反向传输
- 电容快速开关能力
- 更严格的VSD规格，规定雪崩能量
- N沟道功率MOSFET