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LJ5N50P
MOS
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- 描述
- 特性：高电流额定值。低导通电阻RDS(on)。低反向传输电容。快速开关能力。更严格的VSD规格。规定雪崩能量。N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- LJ5N50P
- 商品编号
- C49318077
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.28V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
~~- 高额定电流-更低的导通电阻RDS(ON)-低反向传输-电容快速开关能力-更严格的VSD规格 规定雪崩能量-N沟道功率MOSFET