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LJ2N120D
MOS
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- 描述
- 特性：高电流额定值。 低导通电阻RDS(on)。 低电容。 低总栅极电荷。 更严格的VSD规格。 规定雪崩能量。 N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- LJ2N120D
- 商品编号
- C49318085
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.75Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 高额定电流
- 较低的导通电阻RDS(on)
- 较低的电容
- 较低的总栅极电荷
- 更严格的源漏二极管正向电压VSD规格
- 规定雪崩能量
- N沟道功率MOSFET