商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.62Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 538pF |
商品特性
- 高额定电流
- 更低的导通电阻Rds(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的源漏电压VSD规格
- 规定雪崩能量
- 900V N沟道功率MOSFET