温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LJ4N80D
MOS
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高电流额定值。低RDS(on)。低电容。低总栅极电荷。更严格的VSD规格。规定雪崩能量。N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- LJ4N80D
- 商品编号
- C49318084
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.540686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 496pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48.5pF |
商品特性
- 高额定电流
- 低导通电阻RDS(on)
- 低电容
- 低总栅极电荷
- 更严格的VSD规格
- 规定雪崩能量
- N沟道功率MOSFET
相似推荐
其他推荐