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7N65
MOS
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- 描述
- 特性：高电流额定值。 较低的导通电阻RDS(on)。 较低的电容。 较低的总栅极电荷。 更严格的VSD规格。 雪崩能量指定。 快速开关能力。 N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 商品型号
- 7N65
- 商品编号
- C49318082
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 高额定电流
- 更低的导通电阻RDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的雪崩VSD规格
- 规定能量的快速开关
- 具备N沟道功率MOSFET能力