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BUK965R8-100E,118
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，采用 SOT404 封装。该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK965R8-100E,118
- 商品编号
- C503632
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.46nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
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