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BUK6D43-40PX

1个P沟道耐压:40V 电流:14A

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描述: P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用中等功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: BUK6D43-40PX
商品编号: C503641
商品封装: DFN-6-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.017克(g)

商品参数

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

漏源电压 (VDS) = 85 V，漏极电流 (ID) = 95 A，在栅源电压 (VGS) = 10 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 5.4 mΩ（典型值，TO - 220 封装）；在栅源电压 (VGS) = 10 V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 5.2 mΩ（典型值，TO - 263 封装）
出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数 FOM）
极低的导通电阻 (RDS(on))
工作温度可达 175 °C
无铅引脚镀层
100% 进行了非钳位感性开关 (UIS) 测试！
100% 进行了 ΔVds 测试！