BUK6D43-40PX
1个P沟道 耐压:40V 电流:14A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用中等功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6D43-40PX
- 商品编号
- C503641
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 85 V,漏极电流 (ID) = 95 A,在栅源电压 (VGS) = 10 V 时,漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 5.4 mΩ(典型值,TO - 220 封装);在栅源电压 (VGS) = 10 V 时,漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 5.2 mΩ(典型值,TO - 263 封装)
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 (RDS(on))
- 工作温度可达 175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了非钳位感性开关 (UIS) 测试!
- 100% 进行了 ΔVds 测试!
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
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