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HINN700TK190B
725V增强型GaN功率晶体管
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- 描述
- 本产品为高性能氮化镓晶体管（GaN HEMT），采用N沟道结构，具备优异的导通与开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS高达700V，导通电阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高频率的电力转换应用。该器件适用于电源适配器、无线充电、LED驱动及通信设备等领域的功率管理场景，提供紧凑设计与高效能表现的基础支持。
- 商品型号
- HINN700TK190B
- 商品编号
- C49206785
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 725V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ |
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